← Вернуться

Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя. автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01

О произведении

Автор:
Ответственность:
Михайлович Сергей Викторович; Место защиты: Физ.-технол. ин-т РАН
Место издания:
Москва
Год издания:
Количество страниц:
24 с.
ББК:
З844.19,0
Библиотека:
Российская государственная библиотека (РГБ)

Похожие