← Вернуться

Михайлович С.В.

Читать

Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя

О произведении

Автор:
Заглавие:
Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя
Ответственность:
Михайлович Сергей Викторович; Место защиты: Физ.-технол. ин-т РАН
Место издания:
Москва
Год издания:
Количество страниц:
24 с.
ББК:
З844.19,0
Библиотека:
Российская государственная библиотека (РГБ)

Похожие